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<h1 id="firstHeading" class="firstHeading mw-first-heading">eDRAM</h1>
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<div id="mw-content-text" class="mw-body-content mw-content-ltr" lang="de" dir="ltr"><div class="mw-content-ltr mw-parser-output" lang="de" dir="ltr"><p>Ein <b><span lang="en">embedded DRAM</span></b> (<b>eDRAM</b>, dt. <i><a href="Eingebettetes_System" title="Eingebettetes System">eingebetteter</a> <a href="Dynamic_Random_Access_Memory" title="Dynamic Random Access Memory">DRAM</a></i>)<sup id="cite_ref-1" class="reference"><a href="#cite_note-1"><span class="cite-bracket">[</span>1<span class="cite-bracket">]</span></a></sup> ist ein auf DRAM basierender <a href="Eingebetteter_Speicher" title="Eingebetteter Speicher">eingebetteter Speicher</a>, das heißt, das DRAM ist im selben <a href="Die_(Halbleitertechnik)" title="Die (Halbleitertechnik)">Die</a> oder im selben <a href="Multi-Chip-Modul" title="Multi-Chip-Modul">Modul</a> wie die <a href="Anwendungsspezifische_integrierte_Schaltung" title="Anwendungsspezifische integrierte Schaltung">Haupt-ASIC</a> oder der <a href="Hauptprozessor" class="mw-redirect" title="Hauptprozessor">Hauptprozessor</a> integriert (eingebettet). Im Gegensatz zu externen DRAM-<a href="Speichermodul" title="Speichermodul">Speichermodulen</a> wird er häufig wie <a href="Transistor" title="Transistor">transistorbasierte</a> <a href="Static_Random_Access_Memory" class="mw-redirect" title="Static Random Access Memory">SRAM</a> als <a href="Cache#Prozessor-Cache" title="Cache">Cache</a> genutzt.
</p><p>Das Einbetten des Speichers ermöglicht gegenüber externen Speichermodulen die Nutzung breiterer <a href="Bus_(Datenverarbeitung)" title="Bus (Datenverarbeitung)">Busse</a> und höhere Arbeitsgeschwindigkeiten. Durch den geringeren Platzbedarf ermöglicht DRAM verglichen mit SRAM höhere Datendichte, somit kann bei gleicher Die-Größe potentiell mehr Speicher genutzt werden. Jedoch machen die Unterschiede im Herstellungsprozess zwischen DRAM und Transistorlogik die Integration auf einem Die kompliziert, das heißt, es sind in der Regel mehr Prozessschritte notwendig, was die Kosten erhöht. Neuere Forschungen setzen daher, ähnlich wie beim <a href="Pseudostatisches_RAM" title="Pseudostatisches RAM">pseudostatischen RAM</a> auf <a href="CMOS" class="mw-redirect" title="CMOS">CMOS-Technik</a>.
</p><p>eDRAM wird als L3- und L4-Cache-Speicher in <a href="IBM" title="IBM">IBM</a>-<a href="Gro%C3%9Frechner" title="Großrechner">Großrechnern</a> sowie in vielen <a href="Spielkonsole" title="Spielkonsole">Spielkonsolen</a> genutzt, unter anderem von diesen: <a href="PlayStation_2" title="PlayStation 2">PlayStation 2</a>, <a href="PlayStation_Portable" title="PlayStation Portable">PlayStation Portable</a>, <a href="Nintendo_GameCube" title="Nintendo GameCube">Nintendo GameCube</a>, <a href="Wii" title="Wii">Wii</a>, <a href="Wii_U" title="Wii U">Wii U</a>, <a href="Xbox_360" title="Xbox 360">Xbox 360</a>. Außerdem kommt er in einigen Prozessoren der <a href="Intel-Core-i-Serie" title="Intel-Core-i-Serie">Intel-Core-i-Serie</a> als schneller Arbeitsspeicher der integrierten Grafikeinheiten zum Einsatz.
</p>
<div class="mw-heading mw-heading2"><h2 id="Weblinks">Weblinks</h2></div>
<ul><li>John Poulton: <i><a rel="nofollow" class="external text" href="https://www.cs.unc.edu/~jp/DRAM.pdf">An Embedded DRAM for CMOS ASICs</a>.</i> (englisch; PDF-Datei; 121 kB)</li></ul>
<div class="mw-heading mw-heading2"><h2 id="Einzelnachweise">Einzelnachweise</h2></div>
<ol class="references">
<li id="cite_note-1"><span class="mw-cite-backlink"><a href="#cite_ref-1">↑</a></span> <span class="reference-text">Jens Ihlenfeld: <i><a rel="nofollow" class="external text" href="http://www.golem.de/0702/50538.html">eDRAM - Schneller On-Chip-Speicher von IBM</a>.</i> golem.de, 14. Februar 2007, abgerufen am 20. Februar 2010.</span>
</li>
</ol></div><!--htdig_noindex--><div><div class="zim-footer">
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